介質損耗角正切（或稱介質損耗因數(shù)）通常用tanδ表示。測量tanδ值可以反映出絕緣介質損耗的大小。良好絕緣的 tanδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內部有缺陷，特別是存在氣隙，則 tanδ將隨電壓的升高呈現(xiàn)明顯轉折，如圖所示。

tanδ與電壓的關系曲線

影響tanδ的因素

1.溫度的影響

溫度對 tanδ的影響程度隨材料、結構的不同而異。一般情況下，tanδ隨溫度上升而增加。為便于比較，應將不同溫度下的tanδ值換算至20℃。應當指出，由于被試品的溫度換算系數(shù)不是十分符合實際，換算后往往誤差較大。因此，盡量在同

一溫度或10~30℃溫度范圍內測量。

2.電壓的影響

良好絕緣的 tanδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內部有缺陷，則tan8將隨電壓的升高而明顯增加，tan6與電壓的關系典型曲線如圖所示。

tanδ與電壓的關系典型曲線

1-絕緣良好的情況 2-絕緣老化的情況 3-絕緣中存在氣隙的情況 4-絕緣受潮的情況

3.試品電容的影響

對電容量較小的設備(套管、互感器、耦合電容器等)，測量 tanδ能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性和整體分布性缺陷。但對電容量較大的設備(變壓器、電力電纜等)，測量 tanδ只能發(fā)現(xiàn)整體分布性缺陷，如存在局部集中性缺陷，由于其引起的損耗僅占總損耗的很小一部分而被掩蓋。換言之，tanδ發(fā)現(xiàn)缺陷的靈敏程度是由缺陷部分的體積占總體積的百分比決定的。

tanδ值測量結果分析

(1)與規(guī)程規(guī)定注意值(或警示值)比較。

(2)與歷史數(shù)據(jù)比較，有時即使數(shù)據(jù)沒有超標，但有明顯增長趨勢，也應引起注意。此時，可增加試驗項目，以便對試品進行綜合分析。

(3)與同類設備比較，數(shù)據(jù)不應有明顯差異。